Система измерения эффекта Холла

Описание

Данная установка предназначена для измерения следующих эффектов:

• эффект Холла: удельное поверхностное сопротивление, удельное сопротивление, коэффициент Холла, тип проводимости, подвижность Холла, концентрация носителей;
• Эффект магнитного сопротивления: R, ΔR, (ΔR/R), (ΔR/R0)
• Кривая ВАХ: измерение ВАХ при различных температурах и магнитном поле.
• Кривая R(T): измерение сопротивления в зависимости от температуры и поля.

Основные преимущества

1. Система управления с обратной связью по магнитному полю обеспечивает высокую стабильность, пользователь свободно регулирует необходимое для тестирования поле;
2. Исследуемые образцы находятся в низкотемпературной азотной среде, температура образца и температура газа-теплоносителя - одинакова, что полностью исключает теплопередачу из-за погрешностей измерения, вызванных градиентом температуры в образце;
3. Быстрая и лёгкая замена образца.
4. Диапазон магнитного поля и сопротивления: 1.7 Тл (22 мм) и 1.1 Тл (40 мм), от 1 мОм до 10 МОм;
5. Концентрация носителей: от 10⁶ до 10¹⁹ см^-3, коэффициент миграции: от 100 до 10‑ см²/Вс.
6. Максимальное напряжение на образце и диапазон токов: 200 В и от ±10 нА до ±1 A
7. Исследуемые материалы: полупроводники (Si, Ge, AlGaAs, GaAs, GaN, HgCdTe, CdTe и др.), материалы с низким импедансом (металлы, прозрачные оксиды, слабые магнитные полупроводники, материалы TMR), ферриты.